Samsung должна выплатить $400 млн. из-за нарушения патента на технологию для производства полупроводников

Samsung обвинили в нарушении ключевого патента, связанного с производством полупроводников. Эта технология является собственностью южнокорейского университета, который желает получить от компании финансовую компенсацию в размере $400 млн. Он называется Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST), а его патент также активно используется Qualcomm и Global Foundries, однако для них финансовые штрафы пока не предусмотрены. Федеральный суд в Техасе подтвердил данную сумму и решил в пользу лицензионного органа KAIST.

Корейский гигант остался разочарованным от этого постановления и добавил, что будет использовать все средства, чтобы защитить свою позицию, в том числе обжалование. Аргументы Samsung состоят в том, что ее команда специалистов помогла ученым из KAIST разработать и создать FinFET в том виде, в каком он используется сегодня. Юристы компании в свою очередь также нападали в суде на действительность самого патента, который принадлежит KAIST. Несомненно, в ближайшие месяцы их конфликт продолжится с полной силой.

Здесь следует отметить, что если при обжаловании Samsung снова проиграет, компанию могут оштрафовать на большую сумму, чем нынешние $400 млн. Максимальный размер компенсации может быть в три раза больше. Технология FinFET связана со специальным видом транзистора. Он повышает скорость, а также снижает потребление энергии и позволяет уменьшить размеры процессоров, которые массово используются смартфонами.

Читайте также:  Сетевой блок питания - спутник ноутбука

Оставьте первый комментарий

Оставить комментарий

Ваш электронный адрес не будет опубликован.


*